Survey
* Your assessment is very important for improving the workof artificial intelligence, which forms the content of this project
* Your assessment is very important for improving the workof artificial intelligence, which forms the content of this project
OPISY KURSÓW/PRZEDMIOTÓW: Kod kursu/przedmiotu ETD 4008 Tytuł kursu/przedmiotu Przyrządy półprzewodnikowe 2 Imię, nazwisko i tytuł/stopień prowadzącego Bogusław Boratyński, dr inz. Imiona, nazwiska oraz tytuły członków zespołu dydaktycznego Tomasz Ohly, dr inż. Marek Panek, dr inż. Waldemar Oleszkiewicz, dr inż. (laboratorium) Forma zaliczenia kursu Forma kursu Wykład Tygodniowa 1 liczba godzin Forma Zaliczenie z zaliczenia oceną Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium 3 Liczba punktów 5 Zaliczenie z oceną Wymagania wstępne Przyrządy półprzewodnikowe 1 (ETD 3005) Krótki opis zawartości całego kursu Kurs obejmuje wykład i laboratorium. Wykład jest kontynuacją ETD 3005 i dotyczy monolitycznych układów scalonych. Omawiane są podstawowe układy cyfrowe, pamięci półprzewodnikowe, standardowe układy analogowe, oraz monolityczne mikrofalowe układy scalone MMIC. Podano także przykłady układów optoelektronicznych i mikro-elektromechanicznych Wykład (podać z dokładnością do 2 godzin) Zawartość tematyczna poszczególnych godzin wykładowych 1. Wprowadzenie. Aktualne tendencje integracji układów. 2. Cyfrowe układy scalone: TTL, ECL, NMOS, CMOS, Bi-CMOS 3. Pamięci półprzewodnikowe: SRAM, DRAM, PROM, EEPROM, 4. Układy scalone analogowe: wzmacniacz operacyjny, 5. Mikrofalowe układy scalone, MMIC 6. Optoelektroniczne układy scalone, 7. Wprowadzenie do systemów mikro-elektro-mechanicznych MEMS 8. Kolokwium zaliczeniowe Liczba godzin 1 4 2 2 2 2 1 1 Ćwiczenia, seminarium - zawartość tematyczna Laboratorium, projekt - zawartość tematyczna 1. Termin wprowadzający: aparatura, metody pomiarowe 2. Parametry małosygnałowe tranzystora bipolarnego 3. Pomiar częstotliwości granicznej tranzystora bipolarnego 4. Praca impulsowa tranzystora bipolarnego 5. Badanie tranzystora jednozłączowego 6. Parametry tyrystorów 7. Pomiary mikrofalowych diod detekcyjnych 8. Pomiary wzmacniacza operacyjnego 9. Badanie właściwości układów cyfrowych TTL 10. Badanie charakterystyk układów cyfrowych CMOS 11. Parametry dynamiczne układów CMOS 12. Pomiary parametrów światłowodów 13. Krzemowy mikroczujnik ciśnienia 14. Termin dodatkowy Materiał do samodzielnego opracowania Literatura podstawowa 1. M. Szreter, Notatki do wykładu (odbitki z folii wykładowcy do uzupełniania podczas wykładów) 2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1984 Literatura uzupełniająca 1. J. Baranowski, B. Kalinowski, Z. Nosal, Układy elektroniczne, cz.III, WNT 1994 2. A. Guziński, Liniowe elektroniczne układy analogowe, WNT 1996 3. A. Smoliński, Optoelektronika światłowodowa, WKiŁ 1985 4. U. Tietze, Ch. Schenk, Układy półprzewodnikowe, WNT, 1996 Warunki zaliczenia DESCRIPTION OF THE COURSES: Course code ETD 4008 Course title Semiconductor devices 2 Supervising course lecturer Boguslaw Boratynski, PhD Other course lecturers Tomasz Ohly, PhD Marek Panek, PhD Waldemar Oleszkiewicz, PhD (Laboratory) Course structure Course form Lecture Number of hours /week Form of the course completion Classes Laboratory 1 3 Credit with a mark Credit with a mark Project Seminar Number of credits 5 Prerequisites Semiconductor devices 1 (ETD 3005) Course description The course consists of lectures and laboratory exercises. Continuation of ETD 3005. The lecture topics concentrate on Si and GaAs monolithic integrated circuits. A review of digital integrated circuits including semiconductor memories is given. Analogue integrated circuit principles are discussed. Modern RF circuits (MMIC) are explained. Examples of optoelectronic circuits (OEIC) and micro-electro-mechanical systems (MEMS) are presented. In the laboratory students evaluate selected device’s and IC’s parameters. The experiments illustrate topics from lectures of ETD 3005 and ETD 4008 Lecture Particular lectures contents 1. 2. 3. 4. 5. Introduction. Current trends in IC integration. Digital integrated circuits: TTL, ECL, NMOS, CMOS, Bi-CMOS Memories: SRAM, DRAM, PROM, EEPROM, Analogue IC, op-amps. Microwave integrated circuits, MMIC Number of hours 1 4 2 2 2 6. Optoelectronic IC’s, 7. Basics of micro-electro-mechanical systems, MEMS 8. Final test 2 1 1 Classes, seminars - the contents Laboratory, project – the contents 1. Introduction to the laboratory 2. BJT small signal parameters 3. BJT high frequency parameters 4. BJT switching 5. Unijunction bipolar transistor 6. Thyristor switching parameters 7. Schottky diode microwave detector 8. OP-AMP characteristics 9. TTL gate parameters 10. CMOS gate characteristics 11. CMOS dynamic parameters 12. Optical fibre parameters 13. Silicon pressure microsensor 14. Supplementary meeting Material for self preparation Core literature 1. M. Szreter, Lecture notes (handouts of the lecturer transparencies copies, to be implemented by students during the lectures) 2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1984 Additional literature 1. R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publ., 1996 2. B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall, 1995 3. J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill, 1998 Conditions for course credition