Survey
* Your assessment is very important for improving the workof artificial intelligence, which forms the content of this project
* Your assessment is very important for improving the workof artificial intelligence, which forms the content of this project
OPISY KURSÓW/PRZEDMIOTÓW: Kod kursu/przedmiotu ETD 3005 Tytuł kursu/przedmiotu Przyrządy półprzewodnikowe 1 Imię, nazwisko i tytuł/stopień prowadzącego Bogusław Boratyński, dr inż. Imiona, nazwiska oraz tytuły członków zespołu dydaktycznego Tomasz Ohly, dr inż. Marek Panek, dr inż. Waldemar Oleszkiewicz, dr inż. (laboratorium) Forma zaliczenia kursu Forma kursu Wykład Tygodniowa liczba godzin Forma zaliczenia Ćwiczenia Laboratorium Projekt 3 2 Egzamin ocena Seminarium Liczba punktów 4 Wymagania wstępne Krótki opis zawartości całego kursu Kurs obejmuje wykład i laboratorium. Omawiane są właściwości półprzewodników, złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik oraz przyrządy półprzewodnikowe stosowane w układach elektronicznych. W szczególności dyskutowane są diody półprzewodnikowe, tranzystory bipolarne, tranzystory polowe JFET i MOSFET, tyrystory oraz wybrane przyrządy mikrofalowe i optoelektroniczne. Wykład (podać z dokładnością do 2 godzin) Zawartość tematyczna poszczególnych godzin wykładowych Wprowadzenie. Struktura półprzewodników Właściwości i parametry materiałów półprzewodników Podstawy działania przyrządów półprzewodnikowych Zasady technologii przyrządów półprzewodnikowych Złącze P-N. Model pasmowy. Charakterystyka I-U., Złącze P-N. Wpływ światła i temperatury Złącze p-n. Przepływ prądu zmiennego, pojemność złącza. Złącze metal-półprzewodnik. Diody Schottky’ego Rodzaje diod półprzewodnikowych, parametry charakterystyczne. Liczba godzin 2 4 2 2 4 2 2 2 2 Tranzystory bipolarne. Budowa, zasada działania, charakterystyki statyczne Tranzystory bipolarne. Parametry małosygnałowe, modele zastępcze, częstotliwości graniczne. Tyrystory, triaki. Układ pracy, zastosowania. Tranzystory polowe JFET, MESFET, HEMT Tranzystory polowe MOSFET Przyrządy optoelektroniczne Podstawy konstrukcji układów scalonych 4 4 2 4 4 2 3 Ćwiczenia, seminarium - zawartość tematyczna Laboratorium, projekt - zawartość tematyczna 1. Wprowadzenie do laboratorium 2. Charakterystyki I-U złącza P-N 3. Elementy stabilizacyjne 4. Wpływ temperatury na półprzewodnik oraz na złącze P-N 5. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze P-N 6. Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 7. Tranzystor bipolarny w układzie wzmacniacza małej częstotliwości 8. Badanie tranzystorów unipolarnych JFET i MOSFET 9. Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych 10.Termin dodatkowy Materiał do samodzielnego opracowania Literatura podstawowa 1. M. Szreter, Notatki do wykładu (odbitki z folii wykładowcy do uzupełniania podczas wykładów) 2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1984 3. A. Świt, J. Pułtorak, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT 1984 Literatura uzupełniająca Warunki zaliczenia DESCRIPTION OF THE COURSES: Course code ETD 3005 Course title Semiconductor devices 1 Supervising course lecturer Boguslaw Boratynski, PhD Other course lecturers Tomasz Ohly, PhD Marek Panek, PhD Waldemar Oleszkiewicz, PhD (Laboratory) Course structure Course form Lecture Number of hours /week Form of the course completion Classes Laboratory 3 2 Exam Credit with a mark Project Seminar Number of credits 4 Prerequisites Course description The course consists of lectures and laboratory exercises. Topics include semiconductor fundamentals, the p-n and metal-semiconductor junction’s theory and a review of the most important semiconductor devices used in electronic circuits. Semiconductor diodes, bipolar transistors, JFETs, MOSFETs, thyristors, microwave and optoelectronic devices are presented and characterised. Lecture Particular lectures contents Introduction. Structure of semiconductors. Properties of semiconductor materials Semiconductor device fundamentals. Device fabrication technology The p-n junction electrostatics, band diagram, I-V characteristic, The p-n junction; temperature and light effects The p-n junction; small-signal analysis, junction capacitance. Number of hours 2 4 2 2 4 2 2 Metal - semiconductor junction. Schottky diode. Types of semiconductor diodes, typical parameters and applications. Bipolar transistors; operation principles. DC characteristics Bipolar transistors; small signal parameters, equivalent models. Thyristors, triacs. Field Effect Transistors: JFET, MESFET, HEMT Field Effect Transistors: MOSFET Optoelectronic devices Basics of integrated circuits engineering 2 2 4 4 2 4 4 2 3 Classes, seminars - the contents Laboratory, project – the contents 1. Introduction 2. The p-n junction I-V characteristics. 3. Zener diode. Voltage regulators. 4. Temperature effects in the p-n junction 5. Light effects in the p-n junction 6. Bipolar transistor characteristics 7. Common emitter transistor amplifier 8. JFET/MOSFET characteristics 9. Monolithic IC analysis and measurements 10. Supplementary meeting Material for self preparation Core literature 1. M. Szreter, Lecture notes (handouts of the Lecturer transparencies copies, to implement by students during the lectures) 2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1984 3. A. Świt, J. Pułtorak, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT 1984 Additional literature 1. R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publ., 1996 2. B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall, 1995 Conditions for course credition