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Ni-doped ZnO 薄膜電阻切換性質研究 第C組 組員:王宏宇、王浩宇、郭季安。 樣品外觀 C-1 30sccm純氬氣(Ar) C-2 25sccm氬氣(Ar) 5sccm氧氣(O2) C-3 25sccm氬氣(Ar) 5sccm氮氣(N2) 樣品組成 編號 C-1 基板 C-2 C-3 矽基板SiO2 參雜 鎳Ni和氧化鋅ZnO 製成環境 (1)氣體:Ar、O2、N2 (2)壓力:CH2上的數值 (3)溫度:500°C (4)時間:40 min (5)Ref:1 W Ar 30sccm 參雜功率 : Ni 10W ,ZnO 100W Ar 25sccm O2 5 sccm Ar 25sccm N2 5 sccm 樣品數據 時間 (Time) CH2 (torr) 反射功 率(Ref) 溫度 (°C) 時間 (Time) CH2 (torr) 反射功 率(Ref) 溫度 (°C) 0 1.63x10-2 1W 500°C 0 1.82x10-2 1W 500°C 10 1.61x10-2 1W 500°C 10 1.78x10-2 1W 500°C 20 1.61x10-2 1W 500°C 20 1.78x10-2 1W 500°C 30 1.61x10-2 1W 500°C 30 1.79x10-2 1W 500°C 40 1.61x10-2 1W 500°C 40 1.79x10-2 1W 500°C C-1的鍍膜參數 C-2的鍍膜參數 樣品數據 時間 (Time) CH2 反射功 率(Ref) 溫度 (°C) 0 1.63x10-2 1W 500°C 10 1.61x10-2 1W 500°C 20 1.61x10-2 1W 500°C 30 1.61x10-2 1W 500°C 40 1.61x10-2 1W 500°C C-3的鍍膜參數 三個樣品XRD數據疊圖 2θ(degree) 三個樣品XRD疊圖細部 2θ(degree) 角度(2θ) 晶格間隔 生長方向性 θ=32.976 d=2.714 ZnO (002) SEM掃描式電子顯微鏡圖 氧化鋅奈米柱摻雜Ni之SEM 側面圖 (左圖:樣品C-1;右圖:樣品C-2) C-3樣品打不出來