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Ni-doped ZnO
薄膜電阻切換性質研究
第C組
組員：王宏宇、王浩宇、郭季安。
樣品外觀
C-1
30sccm純氬氣(Ar)
C-2
25sccm氬氣(Ar)
5sccm氧氣(O2)
C-3
25sccm氬氣(Ar)
5sccm氮氣(N2)
樣品組成
編號
C-1
基板
C-2
C-3
矽基板SiO2
參雜
鎳Ni和氧化鋅ZnO
製成環境
(1)氣體：Ar、O2、N2
(2)壓力：CH2上的數值
(3)溫度：500°C
(4)時間：40 min
(5)Ref：1 W
Ar 30sccm
參雜功率 : Ni 10W ，ZnO 100W
Ar 25sccm
O2 5 sccm
Ar 25sccm
N2 5 sccm
樣品數據
時間
(Time)
CH2
(torr)
反射功
率(Ref)
溫度
(°C)
時間
(Time)
CH2
(torr)
反射功
率(Ref)
溫度
(°C)
0
1.63x10-2
1W
500°C
0
1.82x10-2
1W
500°C
10
1.61x10-2
1W
500°C
10
1.78x10-2
1W
500°C
20
1.61x10-2
1W
500°C
20
1.78x10-2
1W
500°C
30
1.61x10-2
1W
500°C
30
1.79x10-2
1W
500°C
40
1.61x10-2
1W
500°C
40
1.79x10-2
1W
500°C
C-1的鍍膜參數
C-2的鍍膜參數
樣品數據
時間
(Time)
CH2
反射功
率(Ref)
溫度
(°C)
0
1.63x10-2
1W
500°C
10
1.61x10-2
1W
500°C
20
1.61x10-2
1W
500°C
30
1.61x10-2
1W
500°C
40
1.61x10-2
1W
500°C
C-3的鍍膜參數
三個樣品XRD數據疊圖
2θ(degree)
三個樣品XRD疊圖細部
2θ(degree)
角度(2θ)
晶格間隔
生長方向性
θ=32.976
d=2.714
ZnO (002)
SEM掃描式電子顯微鏡圖
氧化鋅奈米柱摻雜Ni之SEM 側面圖 (左圖:樣品C-1；右圖:樣品C-2)
C-3樣品打不出來