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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
Key Parameters
VDRM / VRRM
1200 – 1800 V
ITAVM
250 A (TC=85 °C)
ITSM
VT0
7000 A
3570A (TC=55°C)
0,8 V
rT
0,7 mΩ
RthJC
0,124 K/W
Base plate
50 mm
Weight
800 g
BDTIC
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
 Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit

Pressure contact technology for high reliability
 Industrie-Standard-Gehäuse

Industrial standard package
 Elektrisch isolierte Bodenplatte

Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications














Sanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Leistungssteller
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
Soft starters
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Power controllers
Rectifiers for UBS
Battery chargers
Static switches
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
TT
TD
TT-K
TD-A
DT
www.ifbip.com
[email protected]
Date of Publication 2013-01-29
Revision: 3.1
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
TT250N...
TD250N...
DT250N...
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM 1200
1600
1400 V
1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1200
1600
1400 V
1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1300
1700
1500 V
1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
410 A
ITRMSM
BDTIC
250 A
261 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
TC = 82°C
ITAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
(diT/dt)cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 800 A
vT
max.
1,5 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,8 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
0,7
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
max.
200 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V
VGT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RA = 1 Ω
IH
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
max.
1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
50 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tgd
max.
3 µs
prepared by: CD
date of publication:
approved by: ML
revision:
Date of Publication 2013-01-29
Revision: 3.1
8.000 A
7.000 A
320.000 A²s
245.000 A²s
150 A/µs
1000 V/µs
mΩ
29.01.13
3.1
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
TT250N
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
Thermische Eigenschaftenpro Modul / per Module, Θ = 180° sin
typ.
RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
250 µs
3,0 kV
3,6 kV
max.
max.
max.
max.
0,065
0,130
0,062
0,124
K/W
K/W
K/W
K/W
BDTIC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
max.
max.
0,02 K/W
0,04 K/W
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
12
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
Gewicht
weight
AlN
A 2,8 x 0,8
G
typ.
800 g
Kriechstrecke
creepage distance
17 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
50 m/s²
E 83335
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
Maßbild
Maßbild
Maßbild
*
BDTIC
*
1200V: 8mm -0,2
1400V: 8mm -0,2
1600V: 8mm -0,2
1800V: 10mm -0,2
1
2
4 5
3
7 6
TT
1
2
3
1
2
4 5
TD
Date of Publication 2013-01-29
3
7 6
Revision: 3.1
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DT
Seite/page
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
R,T – Werte
Di
R,T-Werte
TT250N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
Rthn [K/W]
0,0426
0,0429
0,0257
0,0097
0,0031
τn [s]
3,06
0,61
0,11
0,008
0,0009
7
BDTIC
Analytische Funktion / Analytical function:
Z thJC 
n max

–t
R thn 1 - e
n
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
ΔZth Θ rec
[K/W]
0,01
0,0164
0,0212
0,0281
0,0405
ΔZth Θ sin
[K/W]
0,0069
0,0098
0,0136
0,0199
0,033
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
0,140
Diagramme
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
0,120
Z(th)JC [K/W]
0,100
0,080
0,060
BDTIC
0,040
0,020
0,000
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Trans. Wärmewiderstand bei Rechtecke bei Sinus
100
b
c
d
0,1
Tvj max =
+125 C
1
Tvj = -40 C
a
Tvj = +25 C
vG [V]
10
Durchgangsverluste
bei Rechteck
100
1000
10
iG [mA]
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40 W/10ms
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b - 80 W/1ms
c - 100 W/0,5ms d – 150 W/ 0,1ms
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Gehäusetemperatur bei Sinus
400
PTAV [W]
TT250N
180 sin
DC
180 rec
120 rec
300
90 rec
60 rec
Q = 30 rec
200
BDTIC
100
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Gehäusetemperatur bei Rechteck
140
120
T C [°C]
100
80
60
180 sin
40
Q = 30 rec
60 rec 90 rec
120 rec
DC
180 rec
20
0
50
100
150
200
250
ITAVM [A]
300
350
400
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Technische Information /
technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
0,15
0,18
1400
0,12
B2
RthCA [K/W]
0,10
ID
+
Maximaler
Strom bei B2 und B6
~
0,20
1200
TT250N
R-Last
R-load
0,25
1000
800
L-Last
L-load
-
0,30
0,40
0,50
600
0,60
400
0,80
1,00
1,50
2,00
BDTIC
200
0
10
30
50
70
90
110
0
100
200
300
T A [°C]
400
500
600
I D [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
P tot [W]
2000
0,20
0,18 0,15 0,12
ID
+
3~
0,25
1500
B6
R thCA [K/W]
0,30
-
0,40
1000
0,50
,
0,60
0,80
500
1,00
1,50
2,00
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
100
200
300
T A [°C]
400
500
600
700
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
0,16
700
0,12 0,10 0,08
TT250N
W 1C
~
R thCA K/W]
IRMS
Maximaler Strom bei W1C und W3C
0,20
600
0,25
500
~
0,30
0,40
400
0,50
300
0,60
200
1,00
0,80
BDTIC
1,50
100
2,00
0
10
30
50 TA [°C] 70
90
0
110
100
200
300
I RMS [A]
400
500
600
400
500
600
Seite/page
9/11
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
P tot [W]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
0,16
0,12
0,10 0,08
R thCA [K/W]
~
W 3C
~
~
IRMS
2000
0,20
~
0,25
1500
~
~
0,30
0,40
1000
0,50
0,60
0,80
500
1,00
1,50
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
T A [°C]
100
200
300
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT250N
10000
Qr [µAs]
Steuercharverzögerungsladung
iTM = 1000A
500A
200A
100A
50A
1000
20A
BDTIC
100
1
-di/dt [A/µs]
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
Grenzstrom
5.000
IT(OV)M [A]
4.500
a
4.000
T A = 35 C
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
b
500
T A = 45 C
0
0,01
t [s]
0,1
1
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
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technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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BDTIC
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-
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