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【19】中華民國　【12】專利公報 （U）
【11】證書號數：M430067
【45】公告日： 中華民國 101 (2012) 年 05 月 21 日
【51】Int. Cl.：
H01S5/06
(2006.01)
新型　全 4 頁　【54】名　稱：波長鎖定半導體雷射裝置
WAVELENGTH LOCKED SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
【21】申請案號：100223638
【22】申請日： 中華民國 100 (2011) 年 12 月 15 日
【72】創 作 人： 王啟倫 (TW) WANG, CHI LUEN；李清泉 (TW) LEE, CHING CHUAN；潘犀
靈 (TW) PAN, CI LING；劉明豪 (TW) LIU, MING HAO
【71】申 請 人： 虹竣科技有限公司
CLEVERWAVE TECH., INC.
桃園縣桃園市大仁路 26 號
王啟倫
WANG, CHI LUEN
新竹市東南街 188 巷 15 號 7 樓
[57]申請專利範圍
1.　一種波長鎖定半導體雷射裝置，其包括：一雷射二極體；一對應於該雷射二極體之窄頻
鍍膜反射片，該窄頻鍍膜反射片用來選取並讓該雷射二極體所發射出之雷射光通過並鎖
定為窄波長雷射光。
2.　如申請專利範圍第 1 項所述之波長鎖定半導體雷射裝置，其中該窄頻鍍膜反射片係設置
於該雷射二極體之光輸出方向，以鎖定該雷射二極體所發射出之窄波長雷射光。
3.　如申請專利範圍第 2 項所述之波長鎖定半導體雷射裝置，更包括一設於該窄頻鍍膜反射
片與該雷射二極體之間的耦合光學元件。
4.　如申請專利範圍第 3 項所述之波長鎖定半導體雷射裝置，其中該耦合光學元件係用以將
雷射光束聚焦於窄頻鍍膜反射片，以提供角度誤差容忍值 5 mrad。
5.　如申請專利範圍第 1 項所述之波長鎖定半導體雷射裝置，其中該窄頻鍍膜反射片係將該
雷射二極體所發射出雷射光的波長範圍鎖定於 6 nm。
6.　如申請專利範圍第 5 項所述之波長鎖定半導體雷射裝置，其中該窄頻鍍膜反射片係將該
雷射二極體所發射出雷射光鎖定於 806 至 812 nm。
7.　如申請專利範圍第 1 項所述之波長鎖定半導體雷射裝置，其中該波長鎖定半導體雷射裝
置的工作溫度係介 於 0℃至 50℃之間。
圖式簡單說明
第一圖係為本創作之波長鎖定半導體雷射裝置的示意圖。
第二圖係為本創作之實施例所使用之窄頻鍍膜反射片之光學特性圖。
第三圖係為本創作之波長鎖定半導體雷射裝置的光譜圖。
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