Download OPISY KURSÓW/PRZEDMIOTÓW

OPISY KURSÓW/PRZEDMIOTÓW:
Kod kursu/przedmiotu
ETD 4008
Tytuł kursu/przedmiotu
Przyrządy półprzewodnikowe 2
Imię, nazwisko i tytuł/stopień prowadzącego
Bogusław Boratyński, dr inz.
Imiona, nazwiska oraz tytuły członków zespołu dydaktycznego
Tomasz Ohly, dr inż.
Marek Panek, dr inż.
Waldemar Oleszkiewicz, dr inż. (laboratorium)
Forma zaliczenia kursu
Forma kursu
Wykład
Tygodniowa
1
liczba godzin
Forma
Zaliczenie z
zaliczenia
oceną
Ćwiczenia Laboratorium Projekt
Seminarium
3
Liczba
punktów
5
Zaliczenie z
oceną
Wymagania wstępne
Przyrządy półprzewodnikowe 1 (ETD 3005)
Krótki opis zawartości całego kursu
Kurs obejmuje wykład i laboratorium. Wykład jest kontynuacją ETD 3005 i dotyczy
monolitycznych układów scalonych. Omawiane są podstawowe układy cyfrowe, pamięci
półprzewodnikowe, standardowe układy analogowe, oraz monolityczne mikrofalowe układy
scalone MMIC. Podano także przykłady układów optoelektronicznych i mikro-elektromechanicznych
Wykład (podać z dokładnością do 2 godzin)
Zawartość tematyczna poszczególnych godzin wykładowych
1. Wprowadzenie. Aktualne tendencje integracji układów.
2. Cyfrowe układy scalone: TTL, ECL, NMOS, CMOS, Bi-CMOS
3. Pamięci półprzewodnikowe: SRAM, DRAM, PROM, EEPROM,
4. Układy scalone analogowe: wzmacniacz operacyjny,
5. Mikrofalowe układy scalone, MMIC
6. Optoelektroniczne układy scalone,
7. Wprowadzenie do systemów mikro-elektro-mechanicznych MEMS
8. Kolokwium zaliczeniowe
Liczba godzin
1
4
2
2
2
2
1
1
Ćwiczenia, seminarium - zawartość tematyczna
Laboratorium, projekt - zawartość tematyczna
1. Termin wprowadzający: aparatura, metody pomiarowe
2. Parametry małosygnałowe tranzystora bipolarnego
3. Pomiar częstotliwości granicznej tranzystora bipolarnego
4. Praca impulsowa tranzystora bipolarnego
5. Badanie tranzystora jednozłączowego
6. Parametry tyrystorów
7. Pomiary mikrofalowych diod detekcyjnych
8. Pomiary wzmacniacza operacyjnego
9. Badanie właściwości układów cyfrowych TTL
10. Badanie charakterystyk układów cyfrowych CMOS
11. Parametry dynamiczne układów CMOS
12. Pomiary parametrów światłowodów
13. Krzemowy mikroczujnik ciśnienia
14. Termin dodatkowy
Materiał do samodzielnego opracowania
Literatura podstawowa
1. M. Szreter, Notatki do wykładu (odbitki z folii wykładowcy do uzupełniania podczas
wykładów)
2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1984
Literatura uzupełniająca
1. J. Baranowski, B. Kalinowski, Z. Nosal, Układy elektroniczne, cz.III, WNT 1994
2. A. Guziński, Liniowe elektroniczne układy analogowe, WNT 1996
3. A. Smoliński, Optoelektronika światłowodowa, WKiŁ 1985
4. U. Tietze, Ch. Schenk, Układy półprzewodnikowe, WNT, 1996
Warunki zaliczenia
DESCRIPTION OF THE COURSES:
Course code
ETD 4008
Course title
Semiconductor devices 2
Supervising course lecturer
Boguslaw Boratynski, PhD
Other course lecturers
Tomasz Ohly, PhD
Marek Panek, PhD
Waldemar Oleszkiewicz, PhD (Laboratory)
Course structure
Course form
Lecture
Number of
hours /week
Form of the
course
completion
Classes
Laboratory
1
3
Credit with
a mark
Credit with
a mark
Project
Seminar
Number
of
credits
5
Prerequisites
Semiconductor devices 1 (ETD 3005)
Course description
The course consists of lectures and laboratory exercises. Continuation of ETD 3005. The
lecture topics concentrate on Si and GaAs monolithic integrated circuits. A review of digital
integrated circuits including semiconductor memories is given. Analogue integrated circuit
principles are discussed. Modern RF circuits (MMIC) are explained. Examples of
optoelectronic circuits (OEIC) and micro-electro-mechanical systems (MEMS) are presented.
In the laboratory students evaluate selected device’s and IC’s parameters. The experiments
illustrate topics from lectures of ETD 3005 and ETD 4008
Lecture
Particular lectures contents
1.
2.
3.
4.
5.
Introduction. Current trends in IC integration.
Digital integrated circuits: TTL, ECL, NMOS, CMOS, Bi-CMOS
Memories: SRAM, DRAM, PROM, EEPROM,
Analogue IC, op-amps.
Microwave integrated circuits, MMIC
Number of
hours
1
4
2
2
2
6. Optoelectronic IC’s,
7. Basics of micro-electro-mechanical systems, MEMS
8. Final test
2
1
1
Classes, seminars - the contents
Laboratory, project – the contents
1. Introduction to the laboratory
2. BJT small signal parameters
3. BJT high frequency parameters
4. BJT switching
5. Unijunction bipolar transistor
6. Thyristor switching parameters
7. Schottky diode microwave detector
8. OP-AMP characteristics
9. TTL gate parameters
10. CMOS gate characteristics
11. CMOS dynamic parameters
12. Optical fibre parameters
13. Silicon pressure microsensor
14. Supplementary meeting
Material for self preparation
Core literature
1. M. Szreter, Lecture notes (handouts of the lecturer transparencies copies, to be
implemented by students during the lectures)
2. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1984
Additional literature
1. R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publ., 1996
2. B.G.Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall, 1995
3. J. Millman, Microelectronics, McGraw-Hill, 1998
Conditions for course credition