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R
S
SA
IS
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UN
E R SIT
A
Universität des Saarlandes
Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik
Elektronik II, SS 11 — Übung 9
IV
A VIE N
Aufgabe 1) NF-Eigenschaften der Transistorgrundschaltungen.
U AP
C
RC
8
Gegeben ist die Schaltung in Abb. 1.
U1
RG U1
RG
I0
U2
I1
U2
U0
I2
I1
I2
I0
RL
RL
Abbildung 1: Zu untersuchende Schaltung (links) und deren Wechselstrom-Ersatzschaltbild
(rechts).
1. In welcher Grundschaltung wird der Transistor in Abb. 1 betrieben?
2. Erläutern Sie die Regeln, mit deren Hilfe man von der Schaltung aus Abb. 1 (links)
zu dem Wechselstrom-Ersatzschaltbild in Abb. 1 (rechts) gelangt.
3. Bestimmen Sie das Kleinsignal-Wechselstrom-Ersatzschaltbild (KS-WS-ESB) der
Schaltung aus Abb. 1. Benutzen Sie dazu das Transistor-Ersatzschaltbild aus Abb.
2.
B
rb
b
gbe
C
g0
Ube
gmUbe
E
Abbildung 2: KS-WS-ESB des Transistors.
4. Berechnen Sie die NF-Eigenschaften V u =
U2
U1 , V I
=
I2
I 1 , Z ein
=
U1
I1
und Z aus =
U2
I2 .
Vereinfachen Sie die berechneten Ergebnisse, indem Sie geeignete Näherungen
treffen.
www.eus.uni-saarland.de
8. Juni 2011
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Elektronik II, SS 11
Übung 9
Aufgabe 2) Schaltungsdimensionierung und -berechnung.
RC
I ein
UAP
B
Tor 1
RE
I1
IC
IB
I2
T1
Uein
Kleinsignal−Ersatzschaltbild von T1
Tor 2
U2
U0
C
UBE
U1
gbe
E
I C = gm UBE , gm = β gbe
Abbildung 3: Zu dimensionierende Verstärkerschaltung.
Abbildung 3 (links) zeigt eine Verstärkerschaltung mit der Gleichspannungsquelle UAP zur
Arbeitspunkteinstellung und der Wechselspannungsquelle U ein für das Eingangssignal.
Arbeitspunktberechnung
1. Geben Sie eine Dimensionierung an, bei der im Arbeitspunkt über RC , RE und der
Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors eine Spannung in jeweils gleicher Höhe
abfällt. An den beiden Toren sei keine Last angeschlossen. Für die Berechnung kann
B 1 und UBE = const. angenommen werden.
Kleinsignal-Wechselstromberechnung
Sie können mit den Näherungen des Transformationszweitor (T-Operator)- Ersatzschaltbildes rechnen. Es gilt außerdem im Folgenden die unter 1.) ermittelte Dimensionierung.
2. (a) Berechnen Sie die Steilheit gm des Transistors.
(b) Geben Sie eine Bedingung für die Betriebsspannung an, unter der gilt RE >
10
gm .
3. Berechnen Sie allgemein in Abhängigkeit von β und gm die Verstärkungen v a1 , v a2 ,
sowie die Eingangsimpedanz Z e
U 1 U 2 U ein v a1 =
, v a2 =
, Ze =
.
U ein I 1 =0, I 2 =0
U ein I 1 =0, I 2 =0
I ein I 1 =0, I 2 =0
4. Geben Sie für jede der unter 3.) ermittelten Verstärkungen v a1 und v a2 eine Beziehung in Abhängigkeit von der Eingangsimpedanz Z e an. Was folgt demnach für die
Verstärkungen, wenn die Eingangsimpedanz erhöht wird? Was muss gelten, damit
gilt |v a1 | = |v a2 |?
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8. Juni 2011
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