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FOD410、 FOD4108、 FOD4116、 FOD4118
6 引脚 DIP 过零可控硅驱动器
特性
说明
■ 300mA 通态电流
FOD410、 FOD4108、 FOD4116 和 FOD4118 器件包含
一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并
联 SCR 形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动
分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。
FOD4116 和 FOD4118 采用一个高效红外线发光二极管
提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准 6 引脚双列直
插 (DIP) 封装。
■ 零电压穿越
■ 高阻断电压
–800V (FOD4108, FOD4118)
–600V (FOD410, FOD4116)
■ 高触发灵敏度
–1.3mA (FOD4116, FOD4118)
–2mA (FOD410, FOD4108)
■ 高静态 dv/dt (10,000V/µs)
■ UL、 VDE、 CSA 认证
■ 无铅装配
应用
■ 固态继电器
■ 工业控制
■ 照明控制
■ 静态功率开关
■ AC 电机启动
封装
原理图
6
6
ANODE 1
6 MAIN TERM.
1
1
CATHODE 2
5 NC*
6
1
N/C 3
ZERO
CROSSING
CIRCUIT
4 MAIN TERM.
*DO NOT CONNECT
(TRIAC SUBSTRATE)
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9 2013
应力超过绝对最大额定值，可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下，该器件可能无法正常工作，所以不建议
让器件在这些条件下长期工作。此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是
应力规格值。
符号
参数
设备
数值
单位
°C
总器件
TSTG
存储温度
所有
-55 至 +150
TOPR
工作温度
所有
-55 至 +100
°C
TSOL
TJ
VISO
PDTOTAL
引脚焊接温度 （波峰）
所有
10 秒 260
°C
结温范围
所有
125
°C
隔离测试电压
（有效值交流电压， 60Hz，持续 1 分钟）
所有
5000
Vac
( 有效值 )
器件总功耗 （25°C 时）
所有
500
mW
6.6
mW/°C
所有
30
mA
V
(1)
超过 25°C 时降额
发射极
IF
连续正向电流
VR
反向电压
所有
6
PDE
总功耗 （25°C 环境温度时）
所有
50
mW
0.71
mW/°C
FOD410, FOD4116
600
V
FOD4108, FOD4118
800
超过 25°C 时降额
检测器
VDRM
断态输出端电压
ITSM
非重复峰值浪涌电流
（60 Hz 单周期正弦波）
所有
3
A
ITM
峰值通态电流
所有
300
mA
总功耗 （25°C 环境温度时）
所有
450
mW
5.9
mW/°C
PDDET
超过 25°C 时降额
注意：
1. 隔离电压 VISO 是内部器件介质击穿额定电压。本测试中，引脚 1、 2 和 3 共用，引脚 4、 5 和 6 共用。持续 1 分钟
的 5,000 V 有效值与持续 1 秒钟的 6,000 V 有效值等效。
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绝对最大额定值 （TA = 25°C，除非另有说明）
独立元器件特性
符号
参数
测试条件
设备
最小值 典型值 * 最大值
单位
发射极
VF
输入正向电压
IF = 20mA
所有
1.25
1.5
V
IR
反向漏
电流
VR = 6V
所有
0.0001
10
µA
VD = 800V
FOD4108,
FOD4118
3
100
µA
VD = 600V
FOD410,
FOD4116
VD = 800V
FOD4108,
FOD4118
3
100
µA
VD = 600V
FOD410,
FOD4116
检测器
ID(RMS)
IR(RMS)
dv/dt
峰值阻断电流，任一方向 IF = 0,
TA = 100°C(2)
反向电流
断态电压临界上升率
TA = 100°C
IF = 0(4) （图 11)
10,000
V/µs
转换特性
符号
IFT
直流特性
LED 触发电流
测试条件
设备
主端电压 = 5V(3)
最小值 典型值 * 最大值 单位
FOD410,
FOD4108
0.65
2.0
FOD4116,
FOD4118
0.65
1.3
mA
峰值通态电压，
任一方向
ITM = 300 mA （峰值）， IF = IFT 额定值
所有
2.2
3
V
IH
维持电流，
任一方向
VT = 3V
所有
200
500
µA
IL
闩锁电流
VT = 2.2V
所有
5
mA
tON
导通时间
PF = 1.0，
IT = 300mA
VRM = VDM = 565 VAC
FOD4108
60
µs
VRM = VDM = 424 VAC
FOD410,
FOD4116,
FOD4118
VRM = VDM = 565 VAC
FOD4108
52
µs
VRM = VDM = 424 VAC
FOD410,
FOD4116,
FOD4118
VTM
tOFF
dv/dtcrq
di/dtcr
关断时间
换流时的电压临界
上升率
VD = 0.67 VDRM, Tj = 25°C
di/dtcrq e 15 A/ms T = 80°C
j
所有
V/µs
5,000
通态电流临界
上升率
dV(IO)/dt 耦合输入 / 输出
电压临界上升率
10,000
8
所有
IT = 0A,
VRM = VDM = 424VAC
所有
10,000
A/µs
V/µs
*TA = 25°C 时的典型值
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电气特性 （TA = 25°C，除非另有说明）
过零特性
符号
直流特性
测试条件
最小值 典型值 * 最大值
单位
VINH
抑制电压 （超过 MT1-MT2 电压器
件不会触发）
IF = IFT 额定值
8
25
V
IDRM2
抑制状态下的漏电流
IF = IFT 额定值，
20
200
µA
VDRM 额定值，关断状态
绝缘特性
符号
特性
VISO
测试条件
(5)
f = 60Hz, t = 1 min.
输入输出绝缘电压
最小值
典型值 *
最大值
5000
单位
Vac
( 有效值 )
*TA = 25°C 时的典型值
注：
2. 必须在 dv/dt 额定值范围内施加测试电压。
3. 所有器件均保证在 IF 小于或等于 IFT 最大值时触发。因此， IF 推荐工作值介于 IFT 最大值 （FOD410 和 FOD4108
为 2mA， FOD4116 和 FOD4118 为 1.3mA）和 IF 绝对最大值 (60mA) 之间。
4. 这就是静态 dv/dt。测试电路见图 11。换向 dv/dt 只与负载驱动晶闸管有关。
5. 隔离电压 VISO 是内部器件介质击穿额定电压。本测试中，引脚 1、 2 和 3 共用，引脚 4、 5 和 6 共用。
典型应用
计算 Rin，使 IF 等于器件 IFT 的额定值 （FOD410 和
FOD4108 为 2mA，FOD4116 和 FOD4118 为 1.3mA）。
39Ω 电阻和 0.01µF 电容用于缓冲可控硅，其需要与否取
决于所用的特定可控硅和负载。
需要进行火线切换时使用的典型电路。本电路中，切换线
路 “火线”，负载连接冷线或零线。负载可能连接零线或
火线。
Rin
1
6
360 Ω
HOT
VCC
2
3
FOD410
FOD4108
FOD4116
FOD4118
5
FKPF12N80
39*Ω
4
240 VAC
0.01μF
330 Ω
LOAD
NEUTRAL
* For highly inductive loads (power factor < 0.5), change this value to 360 ohms.
图 1。 火线切换应用电路
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电气特性 （TA = 25°C，除非另有说明）（续）
Figure 3. Normalized LED Trigger Current (IFT)
vs. Ambient Temperature (TA)
Figure 2. Forward Voltage (VF) vs. Forward Current (IF)
1.6
1.4
-55°C
1.2
25°C
85°C
1.0
0.8
0.6
0.1
1.6
IFT – NORMALIZED LED TRIGGER CURRENT
VF – FORWARD VOLTAGE (V)
1.8
1
10
IF – FORWARD CURRENT (mA)
VAK = 5.0V
Normalized to TA = 25°C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-60
100
-40
-20
0
20
40
60
TA – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 4. Peak LED Current vs. Duty Factor, Tau
Figure 5. Trigger Delay Time
tD = t(IF/IFT 25°C)
VD = 400VP-P
F = 60Hz
τ
Duty Factor
0.005
0.01
0.02
1000
DF =
0.05
tD – DELAY TIME (µs)
If(pk) – PEAK LED CURRENT (mA)
100
100
10000
t
τ
t
0.1
0.2
0.5
100
10
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t – LED PULSE DURATION (s)
100
10
1
101
Figure 6. Pulse Trigger Current
1
10
IFT/IF – NORMALIZED IF (mA)
100
Figure 7. On-State Voltage (VTM) vs. On-State Current (ITM)
1000
1.7
VL = 250VP-P
F = 60Hz
Normalized to DC
1.6
ITM – ON-STATE CURRENT (mA)
IFTH(PW)/IFTH(DC) – NORMALIZED IFTH
80
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
100
TA = 100°C
10
TA = 25°C
1.0
0.9
0
200
400
600
PW – PULSE WIDTH (µs)
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800
1
1000
0
1
2
3
4
5
6
VTM – ON-STATE VOLTAGE (V)
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5
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典型性能曲线
IDRM – NORMALIZED OFF-STATE CURRENT
IH – NORMALIZED HOLDING CURRENT
2.2
Figure 9. Normalized Off-State Current (IDRM)
vs. Ambient Temperature (TA)
Figure 8. Normalized Holding Current (IH)
vs. Ambient Temperature (TA)
Normalized to TA = 25°C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
VD = 800V, IBD (µA)
Normalized to TA = 25°C
1
0.1
-60
-40
-20
TA – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 10. Normalized Inhibit Voltage (VINH)
vs. Ambient Temperature (TA)
1.1
1.0
0.9
-40
-20
0
20
40
40
60
80
100
2.5
IF = Rated IFT
Normalized to TA = 25°C
0.8
-60
20
Figure 11. Normalized Leakage in Inhibit State (IDRM2)
vs. Ambient Temperature (TA)
IDRM2 (NORM) = IDRM2 (TA) / IDRM2 (25°C)
VINH (NORM) = VINH (TA) / VINH (25°C)
1.2
0
TA – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
60
80
IF = Rated IFT
VDRM = 600V
Normalized to TA = 25°C
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60
100
-40
-20
TA – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
20
40
60
80
100
TA – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 12. Current Reduction
ITP – PEAK ON-STATE CURRENT (mA)
350
ITP = f(TA)
300
250
200
150
100
50
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
TA – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
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典型性能曲线 （续）
1
6
FOD410
FOD4108
2
MOC3011
FOD4116
FOD4118
7400
180
R1
ZL
R2
C1
4
115
Vac
NOTE: Circuit supplies 25mA drive to gate of triac
at Vin = 25V and TA < 70°C
TRIAC
IGT
R2
C
15 mA
2400
0.1
30 mA
1200
0.2
50 mA
800
0.3
27
VDRM/VRRM SELECT
DIFFERENTIAL
PREAMP
2W
1000
10 WATT
WIREWOUND
6
X100 PROBE
1
DUT
2
X100 PROBE
20k
2W
0.33
1000V
0.047
1000V
4
470pF
dV
dt
VERNIER
MOUNT DUT ON
TEMPERATURE CONTROLLED
Cu PLATE
100
2W
0.001
0.005
1 MEG
82
2W
0.01
2W
POWER
0.047
1N914
TEST
0.1
RFP4N100
20V
f = 10 Hz
PW = 100 ∝s
50 PULSE
GENERATOR
2W EACH
1.2 MEG
0.47
56
2W
1000
1/4W
0-1000V
10mA
1N967A
18V
ALL COMPONENTS ARE NON-INDUCTIVE UNLESS SHOWN
Figure 11. Circuit for Static
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dV
Measurement of Power Thyristors
dt
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5V
VCC 300
R1
1
VCC
Rin
2
D1
6
FOD410
FOD420
FOD4108
FOD4208
FOD4116
FOD4216
FOD4118
FOD4218
3
SCR
5
SCR
4
360Ω
R2
D2
LOAD
Figure 12. Inverse-Parallel SCR Driver Circuit
使用飞兆半导体可控硅驱动器点火两个背对背晶闸管的建议方法。二极管可用 1N4001; 电阻 R1 和 R2 为可选
330Ω。
注意：不应使用该光隔离器直接驱动负载。该器件仅可用作分立式可控硅驱动器。
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240 VAC
Through Hole
Surface Mount
0.307 (7.8)
0.267 (6.8)
0.307 (7.8)
0.267 (6.8)
0.275 (7.0)
0.236 (6.0)
0.275 (7.0)
0.236 (6.0)
0.051 (1.3)
0.043 (1.1)
0.312 (7.92)
0.288 (7.32)
0.157 (4.0)
0.118 (3.0)
0.312 (7.92)
0.288 (7.32)
0.157 (4.0)
0.118 (3.0)
0.020 (0.5)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.412 (10.46)
0.388 (9.86)
0.020 (0.50)
0.010 (0.25)
0.100 [2.54]
0.049 (1.25)
0.295 (0.75)
0.100 (2.54)
0.4" Lead Spacing
Recommended Pad Layout for Surface Mount
Leadforms
0.307 (7.8)
0.267 (6.8)
0.060 (1.5)
0.275 (7.0)
0.236 (6.0)
0.51 (1.3)
0.100 (2.54)
0.354 (9.0)
0.030 (0.76)
0.157 (4.0)
0.118 (3.0)
0.130 (3.3)
0.090 (2.3)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.020 (0.50)
0.010 (0.25 )
0.100 [2.54]
0.420 (10.66)
0.380 (9.66)
Note:
All dimensions are in inches (millimeters)
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封装尺寸
FOD410、 FOD4108、 FOD4116、 FOD4118 — 6 引脚 DIP 过零可控硅驱动器
订购信息
选项
订单条目标识符
（示例）
无
FOD410
说明
标准通孔器件
S
FOD410S
SD
FOD410SD
T
FOD410T
0.4" 引脚间距
V
FOD410V
IEC60747-5-2 认证
表面贴装弯曲引线
表面贴装；卷带和卷盘
TV
FOD410TV
IEC60747-5-2 认证， 0.4" 引脚间距
SV
FOD410SV
IEC60747-5-2 认证，表面贴装
SDV
FOD410SDV
IEC60747-5-2 认证，表面贴装，卷带和卷盘
标识信息
1
V
3
FOD410
2
X YY D
6
5
4
定义
1
飞兆徽标
2
器件号
3
VDE 标识表示 IEC60747-5-2 认证 （注：仅订购 VDE 选项的器件才
显示 – 见订单条目表）
4
一位数年份代码，如 “7”
5
两位数工作周数，从 “01”到 “53”
6
装配封装码
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FOD410、 FOD4108、 FOD4116、 FOD4118 REV.1.5.0
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10
12.0 ± 0.1
2.0 ± 0.1
0.30 ± 0.05
4.2 ± 0.2
Ø1.55 ±0.05
4.0 ± 0.1
1.75 ± 0.10
7.5 ± 0.1
16.3
15.7
7.7 ±0.1
0.1 MAX
10.4 ±0.1
User Direction of Feed
注意：
所有尺寸单位为英寸 （毫米）
回流焊数据
245 C, 10–30 s
Temperature (°C)
300
260 C peak
250
200
150
Time above 183C, <160 sec
100
50
Ramp up = 2–10C/sec
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Time (Minute)
• Peak reflow temperature: 260 C (package surface temperature)
• Time of temperature higher than 183 C for 160 seconds or less
• One time soldering reflow is recommended
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11
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承载带规格
Build it Now™
CorePLUS™
CorePOWER™
CROSSVOLT™
CTL™
Current Transfer Logic™
EcoSPARK®
EfficentMax™
EZSWITCH™ *
™
®
Fairchild®
Fairchild Semiconductor®
FACT Quiet Series™
®
FACT
®
FAST
FastvCore™
FlashWriter® *
FPS™
F-PFS™
FRFET®
SM
Global Power Resource
Green FPS™
Green FPS™e-Series™
GTO™
IntelliMAX™
ISOPLANAR™
MegaBuck™
MICROCOUPLER™
MicroFET™
MicroPak™
MillerDrive™
MotionMax™
Motion-SPM™
OPTOLOGIC®
OPTOPLANAR®
®
PDP SPM™
Power-SPM™
PowerTrench®
PowerXS™
Programmable Active Droop™
QFET®
QS™
Quiet Series™
RapidConfigure™
™
Saving our world, 1mW/W/kW at a time™
SmartMax™
SMART START™
SPM®
STEALTH™
SuperFET™
SuperSOT™-3
SuperSOT™-6
SuperSOT™-8
SupreMOS™
SyncFET™
®
TinyBoost™
TinyBuck™
TinyLogic®
TINYOPTO™
TinyPower™
TinyPWM™
TinyWire™
PSerDes™
UHC®
Ultra FRFET™
UniFET™
VCX™
VisualMax™
XS™
The Power Franchise®
* EZSWITCH™ and FlashWriter® are trademarks of System General Corporation, used under license by Fairchild Semiconductor.
DISCLAIMER
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE
RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR
CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS. THESE
SPECIFICATIONS DO NOT EXPAND THE TERMS OF FAIRCHILDíS WORLDWIDE TERMS AND CONDITIONS, SPECIFICALLY THE WARRANTY THEREIN,
WHICH COVERS THESE PRODUCTS.
LIFE SUPPORT POLICY
FAIRCHILDíS PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE
EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are
intended for surgical implant into the body or (b) support or sustain life,
and (c) whose failure to perform when properly used in accordance
with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably
expected to result in a significant injury of the user.
2. A critical component in any component of a life support, device, or
system whose failure to perform can be reasonably expected to
cause the failure of the life support device or system, or to affect its
safety or effectiveness.
ANTI-COUNTERFEITING POLICY
Fairchild Semiconductor Corporation’s Anti-Counterfeiting Policy. Fairchild’s Anti-Counterfeiting Policy is also stated on our external website, www.fairchildsemi.com,
under Sales Support.
Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. All manufacturers of semiconductor products are experiencing counterfeiting of their parts.
Customers who inadvertently purchase counterfeit parts experience many problems such as loss of brand reputation, substandard performance, failed applications,
and increased cost of production and manufacturing delays. Fairchild is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the proliferation of
counterfeit parts. Fairchild strongly encourages customers to purchase Fairchild parts either directly from Fairchild or from Authorized Fairchild Distributors who are
listed by country on our web page cited above. Products customers buy either from Fairchild directly or from Authorized Fairchild Distributors are genuine parts, have
full traceability, meet Fairchild’s quality standards for handling and storage and provide access to Fairchild’s full range of up-to-date technical and product information.
Fairchild and our Authorized Distributors will stand behind all warranties and will appropriately address any warranty issues that may arise. Fairchild will not provide
any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. Fairchild is committed to combat this global problem and encourage our
customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms
Datasheet Identification
Product Status
Advance Information
Formative / In Design
Preliminary
First Production
No Identification Needed
Full Production
Obsolete
Not In Production
Definition
Datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in
any manner without notice.
Datasheet contains preliminary data; supplementary data will be published at a later date. Fairchild
Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice to improve design.
Datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes
at any time without notice to improve the design.
Datasheet contains specifications on a product that is discontinued by Fairchild Semiconductor.
The datasheet is for reference information only.
Rev. I37
©2004 飞兆半导体
FOD410、 FOD4108、 FOD4116、 FOD4118 REV.1.5.0
www.fairchildsemi.com
12
FOD410、 FOD4108、 FOD4116、 FOD4118 — 6 引脚 DIP 过零可控硅驱动器
TRADEMARKS
The following includes registered and unregistered trademarks and service marks, owned by Fairchild Semiconductor and/or its global subsidiaries, and is not
intended to be an exhaustive list of all such trademarks.